По теме «Транзисторы» опубликовано 5 материалов с 2016 года. За последние 30 дней новых публикаций по этой теме не было. Связанные темы: Импортозамещение, Электроника, Ростех, Орловская область.
Ученые РТУ МИРЭА разработали конструкцию полевого транзистора на основе алмаза, изобретатели уверены, что он превзойдет аналоги на основе традиционных полупроводников по важнейшим параметрам и производительности. Проект реализовали на базе передовой инженерной школы СВЧ-электроники РТУ МИРЭА, сообщила пресс-служба университета.
Воронежский НИИ электронной техники сегодня по праву занимает одно из лидирующих мест среди отечественных разработчиков и производителей LDMOS-транзисторов.
В мае этого года институт завершил испытания новейших мощных СВЧ LDMOS-транзисторов КП9171А и КП9171БС, в настоящее время продолжают приниматься заявки от предприятий, заинтересованных в данной продукции.
Изделия полностью соответствуют требованиям технического задания и не уступают аналогам по эксплуатационным параметрам.
АО «Протон-Электротекс» (г. Орел) дополнительно инвестирует порядка 300 млн рублей в разработку и производство импортозамещающих силовых полупроводниковых IGBT-модулей, широко используемых в преобразовательной технике.
«К настоящему моменту компания инвестировала в направление данных IGBT-модулей порядка 250 млн рублей и до 2022 года планирует вложить еще около 300 млн рублей», — сообщили в компании.
С 2014 года предприятие проводит научно- исследовательские и опытно-конструкторские работы по новой продукции — IGBT-модули. К настоящему моменту подготовлено современное производство и с 2016 года начат серийный выпуск нескольких линеек IGBT-модулей. Также, в разработке находятся еще четыре типа продукции и составлена дорожная карта по разработке и освоению производства новых модулей до 2022 года.
IGBT модули является «сердцем» любого современного мощного преобразователя энергии, которые применяются во многих отраслях промышленности, а именно в электроприводе, карьерной спецтехнике, электротранспорте, традиционной и «зеленой» энергетике.
«Все указанные отрасли в мире растут опережающими темпами. Однако, в настоящее время рынок РФ более чем на 95% насыщен IGBT модулями иностранного производства», — пояснили на предприятии.
Объединенная приборостроительная корпорация завершает испытания мощных электронных СВЧ-компонентов, которые заменят иностранные комплектующие в авиационном, космическом и военном оборудовании.
Сверхвысокочастотные транзисторы выполнены по современной нитрид-галлиевой технологии (GaN). Они обеспечивают высокую мощность, стойкость аппаратуры к космической радиации и другим внешним воздействиям, стабильную работу при температурах от -60 до +125 °С.
Кроме того, применение таких транзисторов в СВЧ-аппаратуре военного и двойного назначения позволяет заметно уменьшить массогабаритные характеристики изделий.
Российские учёные предложили новый тип транзистора на основе двухслойного графена и с помощью моделирования доказали, что он обладает рекордно низким энергопотреблением по сравнению с существующими аналогами.
В исследованиях принимали участие специалисты Московского физико-технического института (МФТИ) и Физико-технологического института РАН, а также их коллеги из университета Тохоку (Япония). Результаты работы приведены в журнале Scientific Reports.
