Новый алмазный транзистор создали в РТУ МИРЭА

Ученые РТУ МИРЭА разработали конструкцию полевого транзистора на основе алмаза, изобретатели уверены, что он превзойдет аналоги на основе традиционных полупроводников по важнейшим параметрам и производительности. Проект реализовали на базе передовой инженерной школы СВЧ-электроники РТУ МИРЭА, сообщила пресс-служба университета.

Новое устройство использует кристаллографически совершенный алмазный слой толщиной менее 1 микрона, созданный методом термохимической обработки. Эта технология позволяет устранить дефекты поверхности, что значительно улучшает электрофизические характеристики транзистора.

«Транзистор, как ожидается, сможет продемонстрировать на 10-15% лучшую производительность по сравнению с существующими аналогами, — объяснил ведущий разработчик заведующий лабораторией „Алмазная СВЧ-электроника“ РТУ МИРЭА Андрей Алтухов. — Ключевое преимущество — это сочетание высокой термостойкости, радиационной устойчивости и энергоэффективности».

Разработка особенно актуальна для применения в экстремальных условиях — от космической техники до ядерной энергетики, где обычные кремниевые транзисторы быстро выходят из строя.

Алмазные транзисторы найдут применение в системах связи нового поколения, радиолокационных станциях, медицинском оборудовании и промышленной электронике. В 2025 году на эту разработку ученые получили патент.