Холдинг «Швабе» запатентовал способ изготовления кремниевого p-i-n фотодиода, который повышает пороговую чувствительность фотоприемного устройства и не имеет зарубежных и отечественных аналогов.
Кремниевые фотодиоды представляют собой полупроводниковые приборы, генерирующие ток, когда стык типов проводимости освещается светом. PIN-фотодиоды обладают особыми характеристиками, что делает их идеальными детекторами для применения в высокоскоростной фотометрии и оптических линиях связи. Они имеют большой срок службы, механическую прочность и компактные размеры.
Новый усовершенствованный способ изготовления кремниевого PIN-фотодиода изобрели специалисты предприятия Холдинга «Швабе» — ОАО «НПО «Орион».