«Швабе» усовершенствовал способ изготовления кремниевого фотодиода

Холдинг «Швабе» запатентовал способ изготовления кремниевого p-i-n фотодиода, который повышает пороговую чувствительность фотоприемного устройства и не имеет зарубежных и отечественных аналогов.

Кремниевые фотодиоды представляют собой полупроводниковые приборы, генерирующие ток, когда стык типов проводимости освещается светом. PIN-фотодиоды обладают особыми характеристиками, что делает их идеальными детекторами для применения в высокоскоростной фотометрии и оптических линиях связи. Они имеют большой срок службы, механическую прочность и компактные размеры.

Новый усовершенствованный способ изготовления кремниевого PIN-фотодиода изобрели специалисты предприятия Холдинга «Швабе» — ОАО «НПО „Орион“.

"Данный способ приводит к снижению темновых токов фотодиодов и, соответственно, к снижению дробового шума, что в свою очередь уменьшает шум фотоприемного устройства и повышает его пороговую чувствительность. В итоге это улучшает параметры аппаратуры, например, дает увеличение дальности лазерных дальномеров», — пояснил генеральный директор ОАО «НПО «Орион» Анатолий Филачёв.

Еще одна особенность новой разработки — понижение максимальной температуры процессов изготовления с 1150 до 950 °C, что и приводит к снижению темнового тока фотодиодов.

Заказчиками PIN-фотодиодов выступают предприятия-разработчики оптико-электронной аппаратуры с использованием импульсного лазерного излучения. Фотодиоды применяются в фотоприемных устройствах, используемых в различных областях деятельности: строительстве, геодезии, геологии, волоконно-оптической связи и т.д. Данные приборы применяются для охраны границ, при борьбе с преступностью и терроризмом, в операциях спасения при поиске людей в аварийных ситуациях и во время стихийных бедствий.