По теме «Полупроводники» опубликовано
13 материалов
с 2011 года.
За последние 30 дней новых публикаций по этой теме не было.
Связанные темы:
Томск, Микроэлектроника, Москва, Импортозамещение.
Российская компания НИИТМ, расположенная в Зеленограде (Москва), завершила разработку и представила опытный образец первой отечественной установки для плазмохимического осаждения на 300-миллиметровых кремниевых пластинах. Это оборудование играет ключевую роль в развитии российской микроэлектронной промышленности. Ранее подобные установки закупались за границей, а доступные отечественные аналоги работали с пластинами меньшего диаметра, что ограничивало количество производимых чипов и увеличивало их себестоимость.
На московском предприятии ГК «Лассард» произведены первые опытные образцы эксимерного лазера, который является ключевым для литографического процесса изготовления микроэлектроники с нормами проектирования вплоть до 65 нм.
Эксимерный лазер, опытные образцы которого сегодня произведены ГК «Лассард», позволяет говорить о том, что мы все ближе к производству литографов на 130 нм (который появится в 2026 году), а в перспективе — и на 90нм, — заявили в Министерстве промышленности.
Российские ученые на основе перовскитоподобного комплексного бромида сурьмы создали инновационный полупроводниковый материал для солнечных батарей. Его появление не только увеличит эффективность устройства, но и снизит токсичность производства.
Сегодня многие специалисты пытаются найти аналоги солнечным батареям, основу которых составляют комплексные галогениды свинца. Ключевым отличием таких элементов является простота изготовления, низкая стоимость и высокая эффективность преобразования света. Однако существует и значимый недостаток, который заключается в токсичности производства. Дело в том, что нестабильные галогениды свинца необходимо соединять, с йодом, фтором, бромом и хлором, а это делает аккумуляторы опасными в использовании.
Российские учёные из Московского физико-технического института (МФТИ) в городе Долгопрудном Московской области сделали открытие, кардинально меняющее представление о построении светоизлучающих устройств. Они смогли обнаружить, что один из используемых при создании лазеров и светодиодов эффектов может работать в «чистых» полупроводниках, что ранее считалось невозможным, говорится в научном журнале Semiconductor Science and Technology.
Речь идёт об эффекте суперинжекции, для достижения которой, по мнению учёных, достаточно использовать лишь один полупроводник.
Специалисты Сибирского физико-технического института (СФТИ) ТГУ первыми в мире вырастили сверхтонкие пленки из органических молекул в газовой среде. Такая пленка в 5 тысяч раз тоньше человеческого волоса, благодаря чему появилась возможность создавать полупроводниковые устройства, уникальные по своим характеристикам.
Как рассказали в пресс-службе вуза, основу таких полупроводников отличают не только размер, но и быстродействие, а также низкое потребление энергии. Новые материалы предназначены для производства наноэлектроники, а для их создания томичи использовали единственную в своем роде установку молекулярно-послойной эпитаксии.
— Промышленная установка для выращивания полупроводников из молекул органических соединений была сконструирована сотрудником нашей лаборатории и Университета штата Юта Владимиром Буртманом и собрана по заказу ТГУ в Израиле. Установка позволяет добиться такого расположения молекул на подложке, которое недоступно при любом другом способе создания тонких пленок, — отмечает руководитель лаборатории органической электроники СФТИ ТГУ Татьяна Копылова.
Ученые из Томского государственного университета научились выращивать полупроводники из органических молекул принципиально новым методом — самосборки из газовой фазы. Сверхтонкие пленочные структуры толщиной в несколько десятков молекул позволяют создавать полупроводники с улучшенными характеристиками для использования в устройствах нано и микроэлектроники.
В ТГУ отмечают, что разработанная технология выращивания органических полупроводников, позволит устранить одну из главных проблем молекулярной электроники и наноэлектроники. Она заключается в том, что все устройства, сделанные на основе органических проводящих материалов, разлагаются под воздействием времени, нагрузок и температуры. Новая технология послойного выращивания позволяет формировать очень прочные связи между молекулами, что значительно продлит срок работы устройств.
Ученые из Томского государственного университета научились выращивать полупроводники из органических молекул принципиально новым методом — самосборки из газовой фазы. Сверхтонкие пленочные структуры толщиной в несколько десятков молекул позволяют создавать полупроводники с улучшенными характеристиками для использования в устройствах нано и микроэлектроники. В ТГУ отмечают, что разработанная технология выращивания органических полупроводников, позволит устранить одну из главных проблем молекулярной электроники и наноэлектроники. Она заключается в том, что все устройства, сделанные на основе органических проводящих материалов, разлагаются под воздействием времени, нагрузок и температуры.
Ядерщики Томского политеха, часть 2: кремний и топазы
Ученые лаборатории № 33 Томского
политехнического университета (ТПУ) с помощью единственного
за Уралом ядерного исследовательского реактора облучают 2% от мирового объема нейтронного легированного кремния, без которого
невозможно сделать ни один электроприбор. Кроме того, ученые
разрабатывают технологию окраски в небесно-голубые цвета топазов,
которые так популярны у женщин.
Всему голова
«Полупроводниковый кремний — это основа всех приборов,
существующих в мире. Фотоаппараты, компьютеры — все делается на основе этого материала. Без него невозможно современное развитие
техники», - рассказывает заведующий лабораторией № 33
Физико-технического института ТПУ, кандидат технических наук
Валерий Варлачев.
Специалисты Томского института
сильноточной электроники СО РАН разработали уникальную
установку, которая позволяет получать полупроводники и
металлические материалы с качественно новыми свойствами для
микроэлектроники. Установка создана для Польского ядерного
центра.
У установки нет аналогов в мире. В ней совмещены сразу две
возможности – имплантации материалов многозарядными ионами и
исправления возникающих при этом дефектов, с помощью импульсного
сильноточного электронного пучка. Оборудование предназначено для
получения полупроводниковых и металлических материалов с
качественно новыми свойствами, которые будут использоваться в
области микроэлектроники и приборостроения.
Профессор Национального центра ядерных исследований Польши
Збигнев Вернер отметил, что польская сторона уже имела успешный
опыт сотрудничества с томскими коллегами.
( г. Йошкар-Ола.входит в холдинг
«Росэлектроника» госкорпорации «Ростех» ) запустил на своем
производстве новую линию литья керамической ленты, которые
применяется при изготовлении корпусов для всех типов интегральных
микросхем, используемых в отечественной электронике, в том числе
военного назначения.
Технические возможности новой линии Завода полупроводниковых
приборов позволят получать пленки толщиной менее 300 мкм, которые
необходимы для разработки и освоения современных сложны корпусов
для интегральных микросхем с числом выводов
более 250 и шагом выводов менее 0,5 мм, а также миниатюрных
безвыходных корпусов типа LCC.
Потребности рынка в таких изделиях постоянно растут и составляют
на сегодняшний день в денежном выражении порядка 200 млн рублей
для миниатюрных корпусов типа LCC и более 50 млн рублей для
сложных многовыводных корпусов.
Технология ученых ТГУ стала основой проекта по организации серийного производства уникального оборудования: портативной рентгеновской аппаратуры нового типа
(Москва) приняло решение поддержать проект «Детекторы и рентгеновские аппараты: создание инновационного производства арсенид-галлиевых полупроводниковых детекторов цифрового цветового изображения и мобильных рентгеновских аппаратов нового поколения на их основе». Задачей проекта станет организация производства и вывод на мировой рынок наукоемкой конкурентоспособной продукции нового поколения в области цифровой радиографии, основанной на уникальных отечественных технологиях. Общая стоимость проекта – 880 млн. рублей.
- На мировом рынке сейчас 80% детекторов поставляет японская фирма «Хамамацу», и в них каждый квант регистрируется с помощью сцинтилляторов – то есть кванты поглощаются и преобразовываются в световой импульс, а уже фотоприемники преобразуют их дальше в импульсы тока. Но мы знаем, что свет распространяется во все стороны, поэтому у таких детекторов низкий КПД – всего 7-8%, - рассказывает автор проекта Олег Толбанов, профессор , руководитель Научно-образовательного центра «Физика и электроника сложных полупроводников». - Наши детекторы преобразовывают энергию каждого кванта в импульсы электрического тока, а затем специальными электронными чипами считают эти импульсы. В итоге эффективность сбора заряда (КПД) достигает 95%.
В Институте физики полупроводников (ИФП) СО РАН начались работы по изготовлению и испытанию пилотной установки для синтеза полупроводниковых наноструктур «Экран-М», которая разместится на борту МКС. Об этом сообщил в пятницу РИА Новости заместитель директора по научной работе института, руководитель этого проекта, профессор Олег Пчеляков.
Источник фото:
В полупроводниковой электронике используют кристаллические материалы, которые выращивают в условиях глубокого вакуума. От чистоты полупроводниковых материалов зависит однородность полученных кристаллов, которая дает возможность изменять и контролировать их проводящие свойства с помощью вносимых в дальнейшем примесей (легирования).
По словам Пчелякова, синтез качественных полупроводниковых материалов на Земле требует установок, которые стоят миллионы долларов и заметно уступают по чистоте вакуума естественному космическому пространству.
«Цель проекта — создание минифабрики для производства новых полупроводниковых материалов на орбите. Кильватерный след за прикрепленным к борту космического корабля молекулярным экраном — это область сверхглубокого вакуума и идеальная среда для роста полупроводниковых кристаллов, своеобразная вакуумная лаборатория. В нее не попадают даже отдельные молекулы разреженного газа, не говоря уже о кислороде и других элементах, отсутствие которых гарантирует качество растущей пленки полупроводника», — сказал Пчеляков.
