Статьи и новости по теме «Миэт»

На производственной базе GS Nanotech успешно завершены испытания первого отечественного молд-компаунда. Он создан в рамках опытно-конструкторской работы, которую выполняют НИУ МИЭТ совместно с АО «Институт Пластмасс», ФИЦ ИПХФ и МХ РАН.

Одной из наиболее острых проблем современной российской промышленности (а может быть и самой острой) является проблема отечественного производства полупроводников.

Новый завод в Зеленограде

Строительство нового завода началось в конце 2021 года на месте снесённых двух старых корпусов «Ангстрема», построенных ещё в 1970-х. На их месте строится новый завод, в 3,5 раза больший по площади (всего 50 тыс. м2).

 © rlocman.ru

Изготовленный перестраиваемый кольцевой резонатор на основе нитрида кремния и халькогенидного материала фазовой памяти. Общий вид и схематичное изображение кольцевого резонатора, полученые в оптическом микроскопе (а), растровом электронном микроскопе (б), 3д иллюстраторе (в).

Учёные Московского института электронной техники (МИЭТ) и Московского педагогического государственного университета (МПГУ) вместе с другими российскими учеными создали чип для разработки фотонных схем нового поколения. Специалисты утверждают, что разработанная технология по изготовлению энергонезависимых перестраиваемых нанофотонных чипов готова к внедрению в микроэлектронное производство без дополнительных модернизаций.

• 
•  © Фото из открытых источников

На базе НИУ «Московский институт электронной техники» заработал детский технопарк «Смарт-парк», где зеленоградские школьники будут изучать интеллектуальные сенсоры, нейроуправление, IT-системы, нано- и микроэлектронику, биомедицинскую технику и другие высокотехнологичные направления. Зеленоградский детский технопарк стал восьмой подобной структурой профориентационной работы со школьниками в Москве, а всего до конца года в столице заработает в общей сложности 12 детских технопарков.

 Источник фото: canalblog.com

Сотрудники НОЦ «Квантовые приборы и нанотехнологии» ФИАН и МИЭТ разработали технологию получения быстродействующей электронной компонентной базы нового поколения на основе квантовых эффектов резонансного туннелирования. Речь идет о технологии монолитной планарной интеграции резонансно-туннельных диодов, полевых транзисторов и диодов Шоттки. Она позволяет существенно увеличить быстродействие, снизить количество активных элементов цифровых интегральных схем и полностью совместима со стандартной технологией арсенид-галлиевых интегральных схем.