В России разработали отечественные кремниевые лавинные фотодиоды — датчики, передающие изображение с разрешением 500 на 700 пикселей. Они основаны на современной кремниевой планарной технологии, позволяющей производить их по низкой цене и обеспечить массовое внедрение. Разработку и испытания ведут специалисты Центрального научно-исследовательского института «Электрон» (Санкт-Петербург).
Современный лавинный фотодиод представляет собой полупроводниковый фотоприемник, выполненный по правилам и нормам нанометровой планарной кремниевой технологии. Это твердотельный элемент фотоники, интегрированный в сверхбольшую (до 1 млн элементов в кристалле) интегральную схему, рассматриваемый как аналог вакуумного фотоэлектронного умножителя.
