«Швабе» усовершенствованную конструкцию планарного многоплощадочного кремниевого фотодиода

МОСКВА, 22 июл — РИА Новости. Холдинг «Швабе» запатентовал усовершенствованную конструкцию планарного многоплощадочного кремниевого фотодиода, сообщает пресс-служба холдинга.

Планарный многоплощадочный кремниевый фотодиод относится к полупроводниковым приборам, чувствительным в видимой и ближней инфракрасной области спектра.

«Разработанная оригинальная конструкция планарного многоплощадочного кремниевого фотодиода играет роль датчика в сканирующей системе отображения рельефа местности при низком уровне освещенности. Подобные сканеры устанавливаются на различные летательные и космические аппараты», — говорится в пресс-релизе.

По словам разработчиков, модернизация конструкции позволила существенно улучшить работу фотодиода, в частности, уменьшить уровень темнового тока в устройстве, как в нормальных условиях, так и при повышенных температурах, а также снизить неравномерность этих параметров по различным площадкам изделия.

«В результате возрос показатель стабильности работы фотодиода в целом», — отметили разработчики.