GaN-транзисторы АО «НИИЭТ» успешно прошли испытания

GaN-транзисторы ТНГ-К 65020П, разработанные АО «НИИЭТ» (входит в ГК «Элемент»), подтвердили свою эффективность в силовой преобразовательной технике. Испытания, проведенные компанией «Инженерные решения» и Новосибирским государственным техническим университетом, показали, что изделия могут использоваться в источниках питания с высокой удельной мощностью и частотой до 10 МГц.

Эксперты отметили преимущества GaN-технологии: компактные размеры, высокую частоту работы и эффективный теплоотвод. Транзисторы подходят для применения в зарядных устройствах, системах управления электродвигателями, робототехнике и космической отрасли, сообщает пресс-служба НИИЭТ.

Разработка АО «НИИЭТ» позволяет предприятиям сразу приступать к созданию электронных модулей на основе GaN, минуя дорогостоящие НИОКР. Предприятие развивает данное направление более 10 лет.