Ученые Института физики полупроводников им. А.В. Ржанова (ИФП СО РАН) создали новый композитный материал, подходящий для создания гибких элементов памяти, сообщает научный институт во вторник.
По теме «Гибкая электроника» опубликовано 1 материал с 2019 года. За последние 30 дней новых публикаций по этой теме не было. Связанные темы: Ифп со ран.
Ученые Института физики полупроводников им. А.В. Ржанова (ИФП СО РАН) создали новый композитный материал, подходящий для создания гибких элементов памяти, сообщает научный институт во вторник.