© scx2.b-cdn.net
Ученые Института физики полупроводников им. А.В. Ржанова (ИФП СО РАН) создали новый композитный материал, подходящий для создания гибких элементов памяти, сообщает научный институт во вторник.
Статьи и новости по теме «Мемристор»
По теме «Мемристор» опубликовано 2 материала с 2012 года. За последние 30 дней новых публикаций по этой теме не было. Связанные темы: Нейросети, Тюмгу, Ифп со ран.
-
-
В Тюменском государственном университете, в рамках проекта по моделированию нейронных сетей мозга, осуществляемых ТюмГУ и ООО «ТАСО», получен – четвертый фундаментальный компонент электроники, наряду с резистором, конденсатором и катушкой индуктивности.
Мемристор действует как сопротивление, значение которого изменяется в зависимости от проходящего через него тока. В результате снижения сопротивления мемристора связь между логическими элементами, в формировании которой участвует этот мемристор, становится более эффективной – происходит обучение. При повышении сопротивления мемристора происходит забывание или торможение. Прочитать записанную в мемристор информацию можно измерив его сопротивление. По своему действию мемристор подобен синапсу – соединению между нервными клетками мозга (нейронами).
