29 сентября 189

НПП «Пульсар»: первые отечественные фотомодули на кристалле для высокоточного оружия

Холдинг «Росэлектроника» Госкорпорации Ростех разработал линейку матричных фотомодулей на основе кристаллов кремния.

© ruselectronics.ru

Они «видят» объекты в любое время суток и способны формировать как черно-белое, так и цветное изображение.

Новинка, полностью созданная из российских комплектующих, может применяться в составе систем видеомониторинга, сканирования, а также для наведения высокоточного оружия.

Каждый модуль представляет собой кристалл, на котором смонтирована матрица фоточувствительных элементов, 10-разрядный аналого-цифровой преобразователь и генератор сигналов, управляемый интерфейсом передачи данных (SPI). Для получения цветного изображения на поверхность матрицы нанесен RGB-фильтр Байера. Устройство формирует картинку разрешением 1280×1024 пикселя, что позволяет отображать детали с высокой четкостью.

Новые российские модули отличаются низким энергопотреблением в 60 мВ и «видят» в диапазоне 400-900 нм, что соответствует требованиям Минобороны, предъявляемым к подобной продукции. Это позволяет использовать данные фотоприемники для получения качественного изображения в любое время суток.

Модули созданы специалистами НПП «Пульсар» (входит в «Росэлектронику») по инициативе Минпромторга РФ.

«При создании фотоприемников нам удалось добиться актуальных фотоэлектрических характеристик на уровне зарубежных аналогов, используя только российские компоненты. Найденные технические решения будут использоваться при модернизации существующих и разработке новых видеосистем военного и гражданского назначения. В частности, до конца 2023 года НПП „Пульсар“ планирует представить на основе этих модулей миниатюрную камеру для технического зрения», — заявил генеральный директор НПП «Пульсар» Сергей Боровой.

Справка:

Фотомодули созданы по технологии комплементарной структуры металл-оксид-полупроводник. Это наиболее распространенная в настоящее время технология построения интегральных микросхем с использованием полевых транзисторов с изолированным затвором и каналами разной проводимости. Отличительной особенностью таких схем является крайне малое энергопотребление в статическом режиме и высокое быстродействие.

Источник: ruselectronics.ru