В России разработали новый класс материалов для спиновой электроники

Ученые из двух российских институтов создали материал, который позволит электронике дольше держать заряд.

Учёным из Национального исследовательского центра Курчатовского института и Института общей физики имени А.М. Прохорова РАН удалось достичь прорыва в создании материала, который сможет стать альтернативой полупроводниковой электронике.

Как говорится в журнале Small, специалисты двух российских научных институтов создали новый вид материалов, который можно использовать в спиновой электроники. Этот вид электроники отличается от привычной тем, что здесь направление вращения электронов определяется под действием спина и меняется под действием магнитного поля.

Устройства, созданные по принципу спиновой электроники, смогут дольше держать заряд, говорится в опубликованном материале.

В своей разработке ученые предлагают использовать двумерные плёнки, толщина которых не превышает один атом — субмонослойные двумерные магниты. Такие плёнки чувствительнее к магнитным воздействиям, что важно для создания спиновой электроники.

Кроме того, ученые предлагают использовать графен, придав ему магнитные свойства.